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更新時間:2026-08-29
瀏覽次數:89在半導體單片式濕法清洗產線當中,晶圓經過 RCA 清洗、藥液蝕刻、超純水漂洗之后,表面會留存一層極薄的水膜。后烘干預熱陶瓷載臺就是依靠背部恒溫熱源,將晶圓表面水汽烘干,規避水印、氧化斑點等不良缺陷,是保障晶圓良率的關鍵工序。 坂口電熱 Samicon?230 系列硅膠加熱片,柔性貼合安裝于氧化鋁陶瓷載臺背部,適配常壓、高濕、酸堿霧氣揮發的后烘工位環境。下面為大家完整拆解整套標準化工藝流程:
設備上電啟動,PID 溫控系統開始驅動硅膠加熱片升溫。為避免脆性陶瓷載臺受到驟熱沖擊產生熱應力開裂,加熱器執行階梯升溫模式,緩慢加熱陶瓷基座。 待載臺升溫至工藝恒溫目標(常規烘干溫度區間:80?120℃)后,系統切換恒溫閉環模式,硅膠加熱片間歇補熱,維持陶瓷盤面全域溫度均勻穩定,提前完成蓄熱,等待晶圓來料。
工況要點:清洗工位周邊濕度較高,硅膠加熱片一體硫化成型,防潮抗老化,可長期 24 小時待機保溫。
1、晶圓完成藥液清洗、最后一道超純水漂洗工序,晶圓表面附著均勻水膜;
2、潔凈機械手自清洗槽取出晶圓,垂直瀝水,轉運至后烘干預熱工位;
3、機械手平穩放置晶圓于已經預熱完成的陶瓷載臺正面。
1、背部硅膠加熱片持續向陶瓷底盤傳導熱量,熱量由陶瓷基座向上傳遞,均勻加熱晶圓底面;
2、晶圓整體恒溫受熱,表面水膜快速汽化蒸發;
3、工位上方配套氮氣吹掃裝置,及時帶走蒸發水汽,防止水汽遇冷重新冷凝,在晶圓表面形成水印缺陷;
4、按照工藝要求完成 5?15 分鐘恒溫烘干計時,晶圓表面水分去除。
烘干計時結束后,硅膠加熱片繼續保持低功率恒溫保溫,避免晶圓快速降溫,產生劇烈溫度沖擊。隨后潔凈機械手取下烘干完成的晶圓,將其向下游光刻、鍍膜等后段工序傳送。
陶瓷載臺處于空載狀態時,坂口硅膠加熱片繼續維持待機恒溫;等待下一片清洗完畢的晶圓送入工位,開啟新一輪烘干循環。設備長期停機時,加熱器斷電,陶瓷載臺自然降溫。
1、發熱熱源:坂口 Samicon?230 圓形硅膠加熱片,按照陶瓷載臺外形定制尺寸;
2、測溫元件:預埋 K 型熱電偶,緊貼加熱片與陶瓷盤接觸面,減少測溫延遲;
3、控制單元:PID 溫度調節器,搭建閉環恒溫控制系統;
4、安全保護:坂口 S06?150 溫控繼電器,超溫自動切斷電源,防止干燒。
1、硅膠加熱片優先用于大氣常壓烘干工位,性價比高、耐潮濕霧氣;
2、如果陶瓷載臺放置于真空腔體內部加熱,禁止選用硅膠加熱片,需要更換坂口無膠 PI 聚酰亞胺加熱膜,規避真空下放氣析出風險。
我司深圳電商商業股份有限公司,是坂口電熱品牌在中國區域的正規授權代理商。企業長期專注精密加熱元器件供應鏈服務,熟悉半導體、精密制造等多領域工藝應用場景,積累了豐富的產品配套經驗。
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